RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3663
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link