RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3140
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link