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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.8
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
28
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
5.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
1699
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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