RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
46
Intorno -44% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
32
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2706
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link