RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2891
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link