RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
75
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.3
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
75
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
1548
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link