RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3070
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link