RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2978
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link