RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3271
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link