RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
46
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
23
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3211
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link