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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3113
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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