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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2494
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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