RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
46
Intorno -142% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
19
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3626
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link