A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Punteggio complessivo
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 14.3
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 46
    Intorno -64% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.6 left arrow 2,061.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,937.3 left arrow 14.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,061.2 left arrow 8.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    759 left arrow 2361
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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