RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
62
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
62
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
1808
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link