RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
38
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2073
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link