RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
46
Intorno -15% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
40
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2100
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link