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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
18.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
46
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
23
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
18.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
4095
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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