RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
13.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
46
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
23
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2548
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link