RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
46
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
29
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3611
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link