RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Confronto
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Punteggio complessivo
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
961.2
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
53
Intorno -66% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
32
Velocità di lettura, GB/s
3,172.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
961.2
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
403
2831
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link