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AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

AENEON AET760UD00-370B97X 1GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

总分
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AENEON AET760UD00-370B97X 1GB

AENEON AET760UD00-370B97X 1GB

总分
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Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

差异 规格 评论

差异

AENEON AET760UD00-370B97X 1GB 需要考虑的原因
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 15.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    961.2 left arrow 11.9
    测试中的平均数值
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB 需要考虑的原因
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 53
    左右 -66% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 4200
    左右 4.57 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    53 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    3,172.2 left arrow 15.9
  • 写入速度，GB/s
    961.2 left arrow 11.9
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    403 left arrow 2831

AENEON AET760UD00-370B97X 1GB RAM的比较

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Shenzhen Technology Co Ltd 8GB RAM的比较

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内存RAM
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Kingston 9905713-001.A00G 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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内存RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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Kingston 9905701-021.A00G 16GB
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