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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
71
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
71
读取速度,GB/s
9.7
14.9
写入速度,GB/s
6.0
7.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
1631
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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