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AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
67
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
31
Velocità di lettura, GB/s
6.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3318
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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