RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
67
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
31
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
3.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
3318
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link