RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
67
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
31
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
3.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
3318
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link