RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
67
Intorno -139% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
28
Velocità di lettura, GB/s
6.8
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
2179
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link