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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Confronto
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
39
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
34
Velocità di lettura, GB/s
14.3
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2376
3020
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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