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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
32
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
32
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3278
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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