RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
31
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3356
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link