RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
67
Intorno -253% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
19
Velocità di lettura, GB/s
6.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3499
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link