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AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 4GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs INTENSO 4GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
INTENSO 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
INTENSO 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
67
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
36
Velocità di lettura, GB/s
6.8
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
2061
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
INTENSO 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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