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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno -10% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
30
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2846
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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