RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2846
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link