RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
9.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2017
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link