RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2017
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link