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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
67
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
32
Velocità di lettura, GB/s
6.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
2952
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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