RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2003
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link