RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2003
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link