RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2741
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link