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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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更快的读取速度,GB/s
16.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
12.7
16.5
写入速度,GB/s
7.5
13.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2741
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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