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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
12.5
13.9
写入速度,GB/s
8.4
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2434
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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