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Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.1
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
4,680.7
20.3
写入速度,GB/s
1,361.1
18.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
4173
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
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