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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
18.9
写入速度,GB/s
7.8
16.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3866
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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