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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
33
读取速度,GB/s
10.6
15.5
写入速度,GB/s
6.8
11.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2854
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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