RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
47
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
18.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3866
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link