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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

总分
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

总分
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 64
    左右 55% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 64
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2282 left arrow 2197

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内存RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
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内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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