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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
比较
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
总分
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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规格
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
12.2
13.9
写入速度,GB/s
8.2
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2128
2581
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
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