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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
67
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
39
Velocità di lettura, GB/s
6.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
2264
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
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