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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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考慮すべき理由
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
67
周辺 -72% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
6.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
3.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
67
39
読み出し速度、GB/s
6.8
15.5
書き込み速度、GB/秒
3.6
11.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
998
2264
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Frequency (Mhz) *
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