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AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
73
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
29
Velocità di lettura, GB/s
6.3
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3273
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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